Name: APT50GR120JD30
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APT50GR120JD30
Availability: InStock
Rating: 5 (188 reviews)

APT50GR120JD30

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte	APT50GR120JD30
Produttore	Microsemi Corporation
Descrizione	IGBT 1200V 84A 417W SOT227
Scheda dati
pacchetto	SOT-227-4
ECAD
A magazzino	5.952 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
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Specifiche APT50GR120JD30

Produttore	Microsemi Corporation
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - IGBT - Moduli
pacchetto	SOT-227-4
ECAD
Serie	-
Tipo IGBT	NPT
Configurazione	Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	84A
Potenza - Max	417W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	3.2V @ 15V, 50A
Corrente - Limite del collettore (max)	1.1mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	5.55nF @ 25V
Ingresso	Standard
Termistore NTC	No
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	SOT-227-4
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-227

APT50GR120JD30 Packaging

APT50GR120JD30 FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of APT50GR120JD30.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

APT50GR120JD30

D# VN5:3623_18738406

Microsemi Corporation

Trans IGBT Module N-CH 1200V 85A 417000mW 4-Pin SOT-227 Tube

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

APT50GR120JD30

Microsemi Corporation

IGBT 1200V 84A 417W SOT227

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

APT50GR120JD30

D# APT50GR120JD30-ND

Microchip Technology Inc

IGBT MOD 1200V 84A 417W SOT227

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

APT50GR120JD30

Microchip Technology Inc

RoHS: Compliant

pbFree: Yes

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

APT50GR120JD30

Microchip Technology Inc

OEM/CM ONLY

115

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

APT50GR120JD30

D# APT50GR120JD30

Microchip Technology Inc

IGBT MOS 8 1200 V 50 A ISOTOP

RoHS: Compliant

pbFree: Yes

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

APT50GR120JD30

D# 494-APT50GR120JD30

Microchip Technology Inc

IGBT Modules FG, IGBT-COMBI, 1200V, 50A, SOT-227

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

APT50GR120JD30

Microchip Technology Inc

FG, IGBT-COMBI, 1200V, 50A, SOT-227

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

APT50GR120JD30

D# MCHP00000050868

Microchip Technology Inc

FG, IGBT-COMBI, 1200V, 50A, SOT-227

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

APT50GR120JD30

D# 78AH6002

Microchip Technology Inc

IGBT MOS 8 1200 V 50 A ISOTOP ISOTOP SOT-227 (J) Tube RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant

Min Qty: 15

Container: Bulk

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

APT50GR120JD30

D# NS-APT50GR120JD30

Microsemi Corporation

OEM/CM ONLY

6663

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

APT50GR120JD30

D# APT50GR120JD30

Microchip Technology Inc

POWER IGBT TRANSISTOR

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

APT50GR120JD30

D# 35312644

Microsemi Corporation

Trans IGBT Module N-CH 1200V 85A 417000mW 4-Pin SOT-227 Tube

RoHS: Compliant

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