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| Numero di parte | APTC90DAM60CT1G |
|---|---|
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Descrizione | MOSFET N-CH 900V 59A SP1 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | SP1 |
| ECAD |
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| A magazzino | 5.920 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
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| Produttore | Microsemi Corporation |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | SP1 |
| ECAD |
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| Serie | CoolMOS? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 59A |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 6mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 540nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 13600pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | Super Junction |
| Dissipazione di potenza (max) | 462W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 52A, 10V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP1 |
| Pacchetto / caso | SP1 |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
APTC90DAM60CT1G |
Microsemi Corporation |
SILICON CARBIDE/SILICON HYBRID MODULES |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
APTC90DAM60CT1G D# APTC90DAM60CT1G-ND |
Microsemi Corporation |
MOSFET N-CH 900V 59A SP1 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
APTC90DAM60CT1G D# NS-APTC90DAM60CT1G |
Microsemi Corporation |
OEM/CM ONLY |
4797 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
APTC90DAM60CT1G D# APTC90DAM60CT1G |
Microchip Technology Inc |
SILICON CARBIDE/SILICON HYBRID MODULES RoHS: Compliant
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0 |
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86-755-83210559-827
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