| Numero di parte | BSC22DN20NS3 G |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 7A 8TDSON |
| Scheda dati | |
| pacchetto | 8-PowerTDFN |
| ECAD |
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| A magazzino | 46.122 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
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| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | 8-PowerTDFN |
| ECAD |
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| Serie | OptiMOS? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 13µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 430pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 34W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 225 mOhm @ 3.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 |
| Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
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SIT1602BC-82-25S-40.000000T | SiTime, -20 TO 70C, 7050, 25PPM, 2.5V, 4, -, OptiMOS? | Visualizza |
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2225Y0160104FCR | Knowles Syfer, CAP CER 2225, -, OptiMOS? | Visualizza |
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1808J0250102MXR | Knowles Syfer, CAP CER 1000PF 25V X7R 1808, 1808 (4520 Metric), OptiMOS? | Visualizza |
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MT29F128G08CBCCBH6-6C:C | Micron Technology Inc., IC FLASH 128GBIT 152VBGA, -, OptiMOS? | Visualizza |
 
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MAX208ECAG+ | Maxim Integrated, IC TXRX RS-232 W/CAP 24-SSOP, 24-SSOP (0.209", 5.30mm Width), OptiMOS? | Visualizza |
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LTP-757C | Lite-On Inc., DISPLAY DOT MATRX RED LC .70"5X7, -, OptiMOS? | Visualizza |
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TV15C151J-G | Comchip Technology, TVS DIODE 150VWM 243VC SMC, DO-214AB, SMC, OptiMOS? | Visualizza |
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P51-15-S-UB-MD-4.5V-000-000 | SSI Technologies Inc, SENSOR 15PSI 1/8-27NPT .5-4.5V, Cylinder, OptiMOS? | Visualizza |
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SFW21R-1STAE1LF | Amphenol FCI, CONN FPC BOTTOM 21POS 1MM R/A, -, OptiMOS? | Visualizza |
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TVP00RW-23-151P-LC | Amphenol Aerospace Operations, CONN RCPT HSG MALE 151POS PNL MT, -, OptiMOS? | Visualizza |
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BACC63CD14S-7SWH | Amphenol Aerospace Operations, CONN RCPT HSNG FMALE 3POS PNL MT, -, OptiMOS? | Visualizza |
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MCP6564T-E/STVAO | Microchip Technology, QUAD 1.8V PUSH/PULL COMPARATOR E, -, OptiMOS? | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC22DN20NS3GATMA1 D# V72:2272_06384494 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 200V 7A 8-Pin TDSON EP T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC22DN20NS3GATMA1 D# 50Y1815 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 200V 7A 8-Pin TDSON EP T/R - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 50Y1815) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC22DN20NS3GATMA1 D# SP000781778 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 200V 7A 8-Pin TDSON EP T/R (Alt: SP000781778) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC22DN20NS3GATMA1 D# BSC22DN20NS3GATMA1CT-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 200V 7A TDSON-8-5 |
2668 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC22DN20NS3GATMA1 D# 2480749RL |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 200V, 7A, TDSON-8 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC22DN20NS3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Single N-Channel 200 V 225 mOhm 4.2 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TDSON-8 RoHS: Contact Manufacturer
pbFree: Yes
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC22DN20NS3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
11500 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC22DN20NS3GATMA1 D# 726-BSC22DN20NS3GATM |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-Ch 200V 7A TDSON-8 OptiMOS 3 RoHS: Compliant
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7847 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC22DN20NS3GATMA1 D# 50Y1815 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 200V, 7A, 150DEG C, 34W, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:200V, Continuous Drain Current Id:7A, On Resistance Rds(on):0.194ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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4620 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC22DN20NS3GATMA1 D# 8259146P |
Infineon Technologies AG |
N-Channel MOSFET, 7 A, 200 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC22DN20NS3GATMA1, RL Min Qty: 20
Container: Reel
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39880 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC22DN20NS3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
9565 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC22DN20NS3GATMA1 D# 36508340 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 200V 7A 8-Pin TDSON EP T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC22DN20NS3GATMA1 D# 2480749 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 200V, 7A, TDSON-8 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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2421 |
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