Name: BSC889N03LSGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC889N03LSGATMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (107 reviews)

BSC889N03LSGATMA1

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Numero di parte	BSC889N03LSGATMA1
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 45A TDSON-8
Scheda dati	BSC889N03LSGATMA1 Scheda dati
pacchetto	8-PowerTDFN
ECAD
A magazzino	7.568 piece(s)
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Specifiche BSC889N03LSGATMA1

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-PowerTDFN
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	13A (Ta), 45A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1300pF @ 15V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta), 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 mOhm @ 30A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TDSON-8
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN

Scheda tecnica BSC889N03LSGATMA1

BSC889N03LSGATMA1 Packaging

BSC889N03LSGATMA1 FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# BSC889N03LSGATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 30V 45A 8-Pin TDSON - Bulk (Alt: BSC889N03LSGATMA1)

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D# 2156-BSC889N03LSGATMA1-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 30V 13A/45A TDSON

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Power Field-Effect Transistor, 13A, 30V, 0.009ohm, N-Channel, MOSFET

RoHS: Compliant

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