Numero di parte | HGT1S12N60A4DS |
---|---|
Produttore | Fairchild/ON Semiconductor |
Descrizione | IGBT 600V 54A 167W D2PAK |
Scheda dati | |
pacchetto | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
ECAD | |
A magazzino | 7.840 piece(s) |
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Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
HGT1S12N60A4DS D# V36:1790_06359902 |
ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
HGT1S12N60A4DS D# HGT1S12N60A4DS |
ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Rail - Rail/Tube (Alt: HGT1S12N60A4DS) RoHS: Compliant
|
0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
HGT1S12N60A4DS D# HGT1S12N60A4DS |
ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Rail (Alt: HGT1S12N60A4DS) RoHS: Compliant
|
0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
HGT1S12N60A4DS |
Fairchild Semiconductor Corporation |
TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 54A 3PIN TO-263AB - Rail/Tube |
0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
HGT1S12N60A4DS D# 2156-HGT1S12N60A4DS-ND |
Rochester Electronics LLC |
IGBT, 54A, 600V, N-CHANNEL, TO-2 |
2395 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
HGT1S12N60A4DS |
ON Semiconductor |
HGT1S12N60A4DS Series 600 V 54 A SMT N-Channel IGBT - TO-263AB RoHS: Compliant
pbFree: Yes
|
0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
HGT1S12N60A4DSTR |
Fairchild Semiconductor Corporation |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
30 |
HGT1S12N60A4DS |
Rochester Electronics LLC |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
2754 |
HGT1S12N60A4DS9A |
FAIRCH |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
371 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
HGT1S12N60A4DS |
Fairchild Semiconductor Corporation |
OEM/CM Immediate delivery |
36530 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
HGT1S12N60A4DS D# 95B2571 |
ON Semiconductor |
SINGLE IGBT, 600V, 54A, DC Collector Current:54A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2V, Power Dissipation Pd:167W, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V, No. of Pins:3Pins, Operating Temperature Max:150°C RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 100
Container: Bulk
|
0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
HGT1S12N60A4DS D# NS-HGT1S12N60A4DS |
Fairchild Semiconductor Corporation |
OEM/CM ONLY |
2585 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
HGT1S12N60A4DS |
Fairchild Semiconductor Corporation |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 54A, 600V, N-Channel, TO-263AB RoHS: Compliant
|
2395 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
HGT1S12N60A4DS9A |
Fairchild Semiconductor Corporation |
OEM/CM ONLY |
339 |
HGT1S12N60A4DS |
Fairchild Semiconductor Corporation |
OEM/CM ONLY |
1963 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
HGT1S12N60A4DS |
Fairchild Semiconductor Corporation |
IN stock Immediate delivery |
36515 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
HGT1S12N60A4DS |
Fairchild Semiconductor Corporation |
shipping today |
7509 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
HGT1S12N60A4DS D# 34795688 |
ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
HGT1S12N60A4DS |
Fairchild Semiconductor Corporation |
RFQ |
3948 |
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