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IPB029N06N3GE8187ATMA1

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IPB029N06N3GE8187ATMA1

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Numero di parte IPB029N06N3GE8187ATMA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Scheda dati

IPB029N06N3GE8187ATMA1 Scheda dati
pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche IPB029N06N3GE8187ATMA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 118µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs165nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds13000pF @ 30V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.2 mOhm @ 100A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO263-3
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica IPB029N06N3GE8187ATMA1

IPB029N06N3GE8187ATMA1 Packaging

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IPB029N06N3GE8187ATMA1 FAQ

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    Currently, Heisener only provide peer-to-peer order processing. While you submit the RFQ, our professional agent will contact you with the competitive prices in the global market, and our agent will prompt you to finish the order if you accept our offers.
  • 2. How does Heisener guarantee that IPB029N06N3GE8187ATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPB029N06N3GE8187ATMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPB029N06N3GE8187ATMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPB029N06N3GE8187ATMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPB029N06N3GE8187ATMA1 price and inventory displayed accurate?
    The price and inventory of IPB029N06N3GE8187ATMA1 fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
  • 4. What forms of payment are accepted?
    Wire Transfer, PayPal, Alipay, Wechat, Credit Card, Western Union, MoneyGram, and Escrow are all acceptable.
    Warm Tips: Some orders in certain payment forms may require handling fee.
  • 5. How is the shipping arranged?
    Customers can choose industry-leading freight companies, including DHL, UPS, FedEx, TNT, and Registered Mail. Shipping insurance is also available.
    Once your order has been processed for shipment, our salesperson will send you an email advising you of the shipping status and tracking number.
    Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
  • 6. What is the process for return or replacement of IPB029N06N3GE8187ATMA1?
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    Two processes to return the products:
    (1)Inform us within 90 days
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# V36:1790_06383203

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 60V 120A T/R

 0
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D# IPB029N06N3GE8187ATMA1

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin TO-263 T/R - Tape and Reel (Alt: IPB029N06N3GE8187ATMA1)

RoHS: Not Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB029N06N3GE8187ATMA1

 Infineon Technologies AG

N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB029N06N3GE8187ATMA1

D# IPB029N06N3GE8187ATMA1TR-ND

 Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB029N06N3GE8187ATMA1

D# 8269200

 Infineon Technologies AG

N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB029N06N3GE8187ATMA1, PK

Min Qty: 10
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