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Numero di parte | IPB096N03LGATMA1 |
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Produttore | Infineon Technologies |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 35A TO-263-3 |
Scheda dati | |
pacchetto | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
ECAD | |
A magazzino | 5.568 piece(s) |
Prezzo unitario | Request a Quote |
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Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB096N03LGATMA1 D# IPB096N03LGATMA1 |
Infineon Technologies AG |
N-KANAL POWER MOS - Bulk (Alt: IPB096N03LGATMA1) RoHS: Compliant
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0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB096N03LGATMA1 D# 2156-IPB096N03LGATMA1-ND |
Rochester Electronics LLC |
MOSFET N-CH 30V 35A D2PAK |
0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB096N03LGATMA1 |
Rochester Electronics LLC |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
5800 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB096N03LGATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OptlMOS N-Channel Power MOSFET RoHS: Compliant
|
5000 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB096N03LGATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
5095 |
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TVS DIODE 6VWM 12.3VC UDFN
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TVS DIODE 6.5VWM 30VC 6SLP
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