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| Numero di parte | IPC100N04S51R2ATMA1 |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN |
| Scheda dati | |
| pacchetto | 8-PowerTDFN |
| ECAD |
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| A magazzino | 4.912 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
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| Servizi di consegna |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | 8-PowerTDFN |
| ECAD |
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| Serie | OptiMOS? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 7V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.4V @ 90µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 131nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7650pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 mOhm @ 50A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 |
| Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPC100N04S51R2ATMA1 D# V72:2272_16139921 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPC100N04S51R2ATMA1 D# IPC100N04S51R2ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET_(20V,40V) - Bulk (Alt: IPC100N04S51R2ATMA1) RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPC100N04S51R2ATMA1 D# SP001262620 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET_(20V,40V) (Alt: SP001262620) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPC100N04S51R2ATMA1 D# IPC100N04S51R2ATMA1TR-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 |
5000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPC100N04S51R2ATMA1 D# 2803389RL |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, AUTO, N-CH, 150V, 114A, TDSON RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPC100N04S51R2ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
5800 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPC100N04S51R2ATMA1 D# 43AC3265 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 40V, 100A, 175DEG C, 150W, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:40V, Continuous Drain Current Id:100A, On Resistance Rds(on):0.001ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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4170 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPC100N04S51R2ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET_(20V,40V) RoHS: Compliant
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5000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPC100N04S51R2ATMA1 D# 38403677 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPC100N04S51R2ATMA1 D# 2803389 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, AUTO, N-CH, 150V, 114A, TDSON RoHS: Compliant
Min Qty: 5
Container: Cut Tape
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0 |
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86-755-83210559-827
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