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IPD082N10N3GBTMA1

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IPD082N10N3GBTMA1

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Numero di parte IPD082N10N3GBTMA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Scheda dati

IPD082N10N3GBTMA1 Scheda dati

pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche IPD082N10N3GBTMA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 75µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs55nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3980pF @ 50V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.2 mOhm @ 73A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO252-3
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica IPD082N10N3GBTMA1

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IPD082N10N3GBTMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPD082N10N3GBTMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPD082N10N3GBTMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPD082N10N3GBTMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPD082N10N3GBTMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPD082N10N3GBTMA1 price and inventory displayed accurate?
    The price and inventory of IPD082N10N3GBTMA1 fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPD082N10N3GBTMA1?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD082N10N3GATMA1

D# V72:2272_06384005

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD082N10N3GATMA1

D# IPD082N10N3GATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin TO-252 T/R - Tape and Reel (Alt: IPD082N10N3GATMA1)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD082N10N3 G

Infineon Technologies AG

MV POWER MOS - Tape and Reel

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD082N10N3G

Infineon Technologies AG

N-Channel 100V 80A 3.5V @ 75uA 8.6mohms @ 73A,10V 125W TO-252-2(DPAK) MOSFET RoHS

4381
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD082N10N3GATMA1

D# IPD082N10N3GATMA1CT-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3

298

IPD082N10N3GBTMA1

D# IPD082N10N3GBTMA1TR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD082N10N3G

Infineon Technologies AG

In stock shipping within 2days

9260
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD082N10N3GATMA1

D# 2709872

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 100V, 80A, TO-252

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
3262
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD082N10N3GATMA1

Infineon Technologies AG

Single N-Channel 100 V 8.2 mOhm 42 nC OptiMOS™ Power Mosfet - DPAK

RoHS: Contact Manufacturer
pbFree: Yes
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD082N10N3GATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

23200

IPD082N10N3G

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

2877
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD082N10N3G

D# C88067

Infineon Technologies AG

4361
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD082N10N3G

Infineon Technologies AG

OEM/CM Immediate delivery

200
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD082N10N3GATMA1

D# XSKDRABV0052437

Infineon Technologies AG

20000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD082N10N3GATMA1

D# 12AC9706

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 100V, 80A, 175DEG C, 125W, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:100V, Continuous Drain Current Id:80A, On Resistance Rds(on):0.007ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
278
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD082N10N3 G

D# NS-IPD082N10N3 G

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

8446
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD082N10N3G

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

4496

IPD082N10N3GATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

56
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD082N10N3G

Infineon Technologies AG

IN stock Immediate delivery

195
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD082N10N3GATMA1

D# 34386453

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD082N10N3GATMA1

D# 2709872

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 100V, 80A, TO-252

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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