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| Numero di parte | IPD220N06L3GBTMA1 |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
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| A magazzino | 6.176 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
| Tempo di consegna stimato | mag 22 - mag 27 (Scegli una spedizione rapida) |
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| Servizi di consegna |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
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| Serie | OptiMOS? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 11µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 30V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 36W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 30A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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SIT9120AC-1C1-XXE133.000000X | SiTIME, -20 TO 70C, 5032, 20PPM, 2.25V-3, 6-SMD, No Lead, OptiMOS? | Visualizza |
|
SIT1602BI-73-18E-38.000000D | SiTIME, -40 TO 85C, 2016, 50PPM, 1.8V, 3, -, OptiMOS? | Visualizza |
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C326C223J2G5TA | KEMET, CAP CER 0.022UF 200V C0G RADIAL, Radial, OptiMOS? | Visualizza |
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860080374010 | Wurth Electronics Inc., CAP ALUM 270UF 20% 16V THRU HOLE, Radial, Can, OptiMOS? | Visualizza |
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1210-682F | API Delevan Inc., FIXED IND 6.8UH 321MA 1.8 OHM, 1210 (3225 Metric), OptiMOS? | Visualizza |
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953318-2 | TE Connectivity AMP Connectors, CONN NON-GENDERED HSG 1POS BLACK, -, OptiMOS? | Visualizza |
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FW-08-04-L-D-440-080 | Samtec Inc., .050'' BOARD SPACERS, -, OptiMOS? | Visualizza |
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MIKM6-1-7PS | ITT Cannon, LLC, MICRO, -, OptiMOS? | Visualizza |
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D38999/20TC35AA | Amphenol Aerospace Operations, CONN RCPT HSNG MALE 22POS PNL MT, -, OptiMOS? | Visualizza |
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D38999/26JC98SNLC | Amphenol Aerospace Operations, CONN PLG HSG FMALE 10POS INLINE, -, OptiMOS? | Visualizza |
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GMC17DRAI | Sullins Connector Solutions, CONN EDGE DUAL FMALE 34POS 0.100, -, OptiMOS? | Visualizza |
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74LVT574WMX | ON Semiconductor, IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20SOIC, 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width), OptiMOS? | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD220N06L3GBTMA1 D# V72:2272_06390966 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD220N06L3GXT D# IPD220N06L3GBTMA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-252 - Tape and Reel (Alt: IPD220N06L3GBTMA1) RoHS: Compliant
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0 |
IPD220N06L3GBTMA1 D# 12AC9708 |
Infineon Technologies AG |
- Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 12AC9708) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD220N06L3GBTMA1 D# IPD220N06L3GBTMA1TR-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD220N06L3GBTMA1 D# 2709853 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 60V, 30A, TO-252 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD220N06L3GBTMA1 |
Infineon Technologies AG |
Single N-Channel 60 V 22 mOhm 7 nC OptiMOS™ Power Mosfet - DPAK RoHS: Contact Manufacturer
pbFree: Yes
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD220N06L3GBTMA1 |
INFINEON TECHNOLOGIES |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
2900 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD220N06L3GBTMA1 D# 12AC9708 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 60V, 30A, 175DEG C, 36W, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:60V, Continuous Drain Current Id:30A, On Resistance Rds(on):0.0178ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD220N06L3GBTMA1 D# 1107435 |
Infineon Technologies AG |
N-Channel MOSFET, 30 A, 60 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD220N06L3GBTMA1, PK Min Qty: 50
Container: Package
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD220N06L3GBTMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
7632 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD220N06L3GBTMA1 |
Texas Instruments |
shipping today |
3617 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD220N06L3GBTMA1 D# 2709853 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 60V, 30A, TO-252 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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0 |
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