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MTZJT-779.1B

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MTZJT-779.1B

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Numero di parte MTZJT-779.1B
Produttore Rohm Semiconductor
Descrizione DIODE ZENER 9.1V 500MW MSD
Scheda dati

MTZJT-779.1B Scheda dati
pacchetto DO-204AG, DO-34, Axial
ECAD
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Specifiche MTZJT-779.1B

ProduttoreRohm Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Diodi - Zener - Singoli
pacchettoDO-204AG, DO-34, Axial
ECAD
Serie-
Voltage - Zener (Nom) (Vz)9.1V
Tolleranza±3%
Potenza - Max500mW
Impedenza (Max) (Zzt)20 Ohms
Corrente - Perdita inversa @ Vr500nA @ 6V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If-
temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / casoDO-204AG, DO-34, Axial
Pacchetto dispositivo fornitoreMSD

Scheda tecnica MTZJT-779.1B

MTZJT-779.1B Packaging

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Packing
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MTZJT-779.1B FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that MTZJT-779.1B is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the MTZJT-779.1B. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including MTZJT-779.1B on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of MTZJT-779.1B products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the MTZJT-779.1B price and inventory displayed accurate?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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 ROHM Semiconductor

Diode Zener Single 8.79V 3% 500mW 2-Pin MSD Ammo (Alt: MTZJT-779.1B)

 0
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DIODE ZENER 9.1V 500MW MSD

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DIODE ZENER 9.1V 500MW MSD

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