Name: SI3812DV-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3812DV-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 5 (91 reviews)

SI3812DV-T1-E3

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Numero di parte	SI3812DV-T1-E3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP
Scheda dati	SI3812DV-T1-E3 Scheda dati
pacchetto	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
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Specifiche SI3812DV-T1-E3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
Serie	LITTLE FOOT?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	600mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (massimo)	±12V
Caratteristica FET	Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max)	830mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125 mOhm @ 2.4A, 4.5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	6-TSOP
Pacchetto / caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Scheda tecnica SI3812DV-T1-E3

SI3812DV-T1-E3 Packaging

SI3812DV-T1-E3 FAQ

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3. Are the SI3812DV-T1-E3 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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SI3812DV-T1-E3

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MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP

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SI3812DV-T1-E3

D# SI3812DV-T1-E3TR-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 2A 6TSOP

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D# NS-SI3812DV-T1-E3

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