Name: SI7682DP-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7682DP-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 5 (188 reviews)

SI7682DP-T1-E3

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Numero di parte	SI7682DP-T1-E3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
Scheda dati	SI7682DP-T1-E3 Scheda dati
pacchetto	PowerPAK? SO-8
ECAD
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Specifiche SI7682DP-T1-E3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	PowerPAK? SO-8
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	20A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1595pF @ 15V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	5W (Ta), 27.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 mOhm @ 20A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK? SO-8
Pacchetto / caso	PowerPAK? SO-8

Scheda tecnica SI7682DP-T1-E3

SI7682DP-T1-E3 Packaging

SI7682DP-T1-E3 FAQ

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2. How does Heisener guarantee that SI7682DP-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the SI7682DP-T1-E3 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Vishay Intertechnologies

Single N-Channel 30 V 0.009 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK SO-8

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SI7682DPT1E3

Vishay Siliconix

Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

RoHS: Compliant

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Azione

SI7682DP-T1-E3

D# SI7682DP-T1-E3-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

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SI7682DP-T1-E3

D# SI7682DP-T1-E3

Vishay Siliconix

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