| Numero di parte | SIE836DF-T1-E3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK |
| Scheda dati | |
| pacchetto | 10-PolarPAK? (SH) |
| ECAD |
|
| A magazzino | 6.800 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
| Tempo di consegna stimato | giu 11 - giu 16 (Scegli una spedizione rapida) |
| Richiedi Preventivo |
|
| Modalità di pagamento | |
| Servizi di consegna |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | 10-PolarPAK? (SH) |
| ECAD |
|
| Serie | TrenchFET? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 18.3A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 5.2W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 4.1A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 10-PolarPAK? (SH) |
| Pacchetto / caso | 10-PolarPAK? (SH) |
|
SIT9120AC-2D2-33S133.333300X | SiTime, -20 TO 70C, 7050, 25PPM, 3.3V, 1, 6-SMD, No Lead, TrenchFET? | Visualizza |
|
SIT8208AC-81-28S-7.372800Y | SiTime, -20 TO 70C, 7050, 20PPM, 2.8V, 7, -, TrenchFET? | Visualizza |
|
TAP225K016BRW | AVX Corporation, CAP TANT 2.2UF 16V 10% RADIAL, Radial, TrenchFET? | Visualizza |
|
|
2220J1K20100GCR | Knowles Syfer, CAP CER 2220, 2220 (5750 Metric), TrenchFET? | Visualizza |
|
|
1206Y0160123GCR | Knowles Syfer, CAP CER 1206, 1206 (3216 Metric), TrenchFET? | Visualizza |
 
|
FDP10AN06A0 | Fairchild/ON Semiconductor, MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB, TO-220-3, TrenchFET? | Visualizza |
|
SMCG75AHE3/57T | Vishay Semiconductor Diodes Division, TVS DIODE 75VWM 121VC SMC, DO-215AB, SMC Gull Wing, TrenchFET? | Visualizza |
|
9T04021A1781CBHF3 | Yageo, RES SMD 1.78K OHM 1/16W 0402, 0402 (1005 Metric), TrenchFET? | Visualizza |
|
SM4124JTR270 | Stackpole Electronics Inc., RES SMD 0.27 OHM 5% 2W 4124, 4124 J-Lead, TrenchFET? | Visualizza |
|
AT0805DRE0730R1L | Yageo, RES SMD 30.1 OHM 0.5% 1/8W 0805, 0805 (2012 Metric), TrenchFET? | Visualizza |
|
|
RC2012F86R6CS | Samsung, RESISTOR 0805 86.6OHM 0.125W, -, TrenchFET? | Visualizza |
|
|
XC9257A24CMR-G | Torex Semiconductor Ltd, 1A COT CONTROL SYNCHRONOUS STEP-, -, TrenchFET? | Visualizza |
Garantiamo la soddisfazione del cliente al 100%.
Il nostro team di vendita esperto e il team di supporto tecnico supportano i nostri servizi per soddisfare tutti i nostri clienti.
Forniamo una garanzia di 90 giorni.
Se gli articoli che hai ricevuto non fossero di qualità perfetta, saremmo responsabili per il rimborso o la sostituzione, ma gli articoli devono essere restituiti nelle loro condizioni originali.
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIE836DF-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIE836DF-T1-E3 D# SIE836DF-T1-E3-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 200V 18.3A 10POLARPK |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SIE836DF-T1-E3 D# NS-SIE836DF-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
4675 |
L'impegno di Heisener per la qualità ha plasmato i nostri processi di approvvigionamento, test, spedizione e ogni passo intermedio. Questa base è alla base di ogni componente che vendiamo.
Avete qualche domanda circa SIE836DF-T1-E3?
86-755-83210559-819
Scansiona per visualizzare questa pagina
