| Numero di parte | VWM200-01P |
|---|---|
| Produttore | IXYS |
| Descrizione | MOSFET 6N-CH 100V 210A V2 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | V2-PAK |
| ECAD |
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| A magazzino | 7.968 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | IXYS |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array |
| pacchetto | V2-PAK |
| ECAD |
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| Serie | - |
| Tipo FET | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| Caratteristica FET | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 210A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2 mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 430nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potenza - Max | - |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | V2-PAK |
| Pacchetto dispositivo fornitore | V2-PAK |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
VWM200-01P |
IXYS Corporation |
Trans MOSFET N-CH 100V 210A 17-Pin |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
VWM200-01P D# VWM200-01P-ND |
IXYS Corporation |
MOSFET 6N-CH 100V 210A V2 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
VWM200-01P |
IXYS |
MOSFET 6N-CH 100V 210A V2 RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
VWM200-01P D# NS-VWM200-01P |
IXYS Corporation |
OEM/CM ONLY |
6696 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
VWM200-01P |
IXYS Integrated Circuits Division |
shipping today |
10 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
VWM200-01P |
IXYS Corporation |
RFQ |
6121 |
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