Name: 1214-32L
Brand: Microsemi Corporation
SKU: 1214-32L
Availability: InStock
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1214-32L

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte	1214-32L
Produttore	Microsemi Corporation
Descrizione	TRANS RF BIPO 125W 5A 55AW1
Scheda dati
pacchetto	55AW-1
ECAD
A magazzino	6.304 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
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Specifiche 1214-32L

Produttore	Microsemi Corporation
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - Bipolari (BJT) - RF
pacchetto	55AW-1
ECAD
Serie	-
Transistor Type	NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Frequenza - Transizione	1.2GHz ~ 1.4GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f)	-
Guadagno	7.8dB ~ 8.9dB
Potenza - Max	125W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	20 @ 1A, 5V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	5A
temperatura di esercizio	200°C (TJ)
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	55AW-1
Pacchetto dispositivo fornitore	55AW-1

1214-32L Packaging

1214-32L FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of 1214-32L.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Azione

1214-32L

D# 1214-32L

Microchip Technology Inc

Trans GP BJT NPN 50V 5A 3-Pin Case 55AW-1 - Bulk (Alt: 1214-32L)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

1214-32L

Microsemi Corporation

1214-32L - Bulk

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

1214-32L

D# 1214-32L-ND

Microsemi Corporation

RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55AW-1

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

1214-32L

Microchip Technology Inc

Bipolar/LDMOS Transistor

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

1214-32L

D# MCHP00000038530

Microchip Technology Inc

Bipolar/LDMOS Transistor

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Produttore

Descrizione

Azione

1214-32L

D# NS-1214-32L

Microsemi Corporation

OEM/CM ONLY

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