Name: 2N6661JAN02
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 2N6661JAN02
Availability: InStock
Rating: 5 (117 reviews)

2N6661JAN02

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Numero di parte	2N6661JAN02
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
Scheda dati
pacchetto	TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
ECAD
A magazzino	6.048 piece(s)
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Specifiche 2N6661JAN02

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	90V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	860mA (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 Ohm @ 1A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-39
Pacchetto / caso	TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

2N6661JAN02 Packaging

2N6661JAN02 FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

2N6661JAN02

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 90V 860MA TO-205

Numero di parte

Produttore

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Azione

2N6661JAN02

D# 2N6661JAN02-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 90V 860MA TO39

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