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2N7635-GA

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Numero di parte 2N7635-GA
Produttore GeneSiC Semiconductor
Descrizione TRANS SJT 650V 4A TO-257
Scheda dati
pacchetto TO-257-3
ECAD
A magazzino 4.944 piece(s)
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Specifiche 2N7635-GA

ProduttoreGeneSiC Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-257-3
ECAD
Serie-
Tipo FET-
TecnologiaSiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4A (Tc) (165°C)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds324pF @ 35V
Vgs (massimo)-
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs415 mOhm @ 4A
temperatura di esercizio-55°C ~ 225°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-257
Pacchetto / casoTO-257-3

2N7635-GA Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

2N7635-GA FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that 2N7635-GA is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the 2N7635-GA. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including 2N7635-GA on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of 2N7635-GA products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the 2N7635-GA price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of 2N7635-GA?
    All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the 2N7635-GA we delivered, we will accept the replacement or return of the 2N7635-GA only when all of the below conditions are fulfilled:
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

2N7635-GA

GeneSic Semiconductor Inc

TRANS SJT 650V 4A TO-257

1
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

2N7635-GA

D# 1242-1146-ND

GeneSic Semiconductor Inc

TRANS SJT 650V 4A TO257

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

2N7635-GA

GeneSic Semiconductor Inc

SiC Hi-Temp SJT- 50V/60A

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

2N7635-GA

D# GS0000000000045

GeneSic Semiconductor Inc

SiC Hi-Temp SJT- 50V/60A

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

2N7635-GA

D# 46W5839

GeneSic Semiconductor Inc

SIC JUNCTION TRANSISTOR, 650V, 7NA, TO-257-3, Breakdown Voltage Vbr:-, Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:-, Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:-, Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-, Transistor Type:JFET, MSL:- RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Bulk
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

2N7635-GA

D# NS-2N7635-GA

GeneSiC Semiconductor

OEM/CM ONLY

5977

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