Name: 2N7635-GA
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 2N7635-GA
Availability: InStock
Rating: 5 (144 reviews)

2N7635-GA

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Numero di parte	2N7635-GA
Produttore	GeneSiC Semiconductor
Descrizione	TRANS SJT 650V 4A TO-257
Scheda dati
pacchetto	TO-257-3
ECAD
A magazzino	4.944 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
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Specifiche 2N7635-GA

Produttore	GeneSiC Semiconductor
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-257-3
ECAD
Serie	-
Tipo FET	-
Tecnologia	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4A (Tc) (165°C)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	324pF @ 35V
Vgs (massimo)	-
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	415 mOhm @ 4A
temperatura di esercizio	-55°C ~ 225°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-257
Pacchetto / caso	TO-257-3

2N7635-GA Packaging

2N7635-GA FAQ

1. How to order 2N7635-GA on Heisener?

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2. How does Heisener guarantee that 2N7635-GA is from the original manufacturer or authorized agents?

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of 2N7635-GA.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

2N7635-GA

GeneSic Semiconductor Inc

TRANS SJT 650V 4A TO-257

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

2N7635-GA

D# 1242-1146-ND

GeneSic Semiconductor Inc

TRANS SJT 650V 4A TO257

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

2N7635-GA

GeneSic Semiconductor Inc

SiC Hi-Temp SJT- 50V/60A

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

2N7635-GA

D# GS0000000000045

GeneSic Semiconductor Inc

SiC Hi-Temp SJT- 50V/60A

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

2N7635-GA

D# 46W5839

GeneSic Semiconductor Inc

SIC JUNCTION TRANSISTOR, 650V, 7NA, TO-257-3, Breakdown Voltage Vbr:-, Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:-, Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:-, Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-, Transistor Type:JFET, MSL:- RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant

Min Qty: 10

Container: Bulk

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Descrizione

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D# NS-2N7635-GA

GeneSiC Semiconductor

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