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2SJ162-E

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Numero di parte 2SJ162-E
Produttore Renesas Electronics America
Descrizione MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P
Scheda dati 2SJ162-E Scheda dati
pacchetto TO-3P-3, SC-65-3
A magazzino 121 piece(s)
Prezzo unitario Request a Quote
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Specifiche 2SJ162-E

ProduttoreRenesas Electronics America
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Scheda dati 2SJ162-E Scheda dati
pacchettoTO-3P-3, SC-65-3
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)160V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25��C7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds900pF @ 10V
Vgs (massimo)��15V
Dissipazione di potenza (max)100W (Tc)
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-3P
Pacchetto / casoTO-3P-3, SC-65-3

Scheda tecnica 2SJ162-E Datasheet

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