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Numero di parte 2SJ687-ZK-E1-AY
Produttore Renesas Electronics America
Descrizione MOSFET P-CH 20V 20A TO-252
Scheda dati

2SJ687-ZK-E1-AY Scheda dati

pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche 2SJ687-ZK-E1-AY

ProduttoreRenesas Electronics America
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C20A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs57nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4400pF @ 10V
Vgs (massimo)±12V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs7 mOhm @ 10A, 4.5V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-252 (MP-3ZK)
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica 2SJ687-ZK-E1-AY

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  • 2. How does Heisener guarantee that 2SJ687-ZK-E1-AY is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the 2SJ687-ZK-E1-AY price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of 2SJ687-ZK-E1-AY?
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Renesas Electronics Corporation

Trans MOSFET P-CH 20V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

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