Name: 2SK1859-E
Brand: Renesas Electronics America
SKU: 2SK1859-E
Availability: InStock
Rating: 5 (96 reviews)

2SK1859-E

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Numero di parte	2SK1859-E
Produttore	Renesas Electronics America
Descrizione	MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
Scheda dati	2SK1859-E Scheda dati
pacchetto	TO-3P-3, SC-65-3
ECAD
A magazzino	2.880 piece(s)
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Specifiche 2SK1859-E

Produttore	Renesas Electronics America
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-3P-3, SC-65-3
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	900V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	980pF @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 3A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-3P
Pacchetto / caso	TO-3P-3, SC-65-3

Scheda tecnica 2SK1859-E

2SK1859-E Packaging

2SK1859-E FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the 2SK1859-E we delivered, we will accept the replacement or return of the 2SK1859-E only when all of the below conditions are fulfilled:

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Renesas Electronics Corporation

MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P

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2SK1859E

Renesas Electronics Corporation

Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 900V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

RoHS: Compliant

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Renesas Electronics Corporation

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2SK1859-E

D# 2SK1859-E-ND

Renesas Electronics Corporation

MOSFET N-CH 900V 6A TO3P

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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

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D# NS-2SK1859-E

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