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ALD111933SAL

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Numero di parte ALD111933SAL
Produttore Advanced Linear Devices Inc.
Descrizione MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
Scheda dati

ALD111933SAL Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche ALD111933SAL

ProduttoreAdvanced Linear Devices Inc.
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieEPAD?
Tipo FET2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Caratteristica FETStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)10.6V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Rds On (Max) @ Id, Vgs500 Ohm @ 5.9V
Vgs (th) (Max) @ Id3.35V @ 1µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2.5pF @ 5V
Potenza - Max500mW
temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

Scheda tecnica ALD111933SAL

ALD111933SAL Packaging

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Sealing
Packing
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ALD111933SAL FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that ALD111933SAL is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the ALD111933SAL. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including ALD111933SAL on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of ALD111933SAL products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the ALD111933SAL price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of ALD111933SAL?
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MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

579
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Advanced Linear Devices Inc

MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

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ADVANCED LINEAR DEVICES I

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