| Numero di parte | APT6M100K |
|---|---|
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Descrizione | MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-220-3 |
| ECAD |
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| A magazzino | 4.080 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | Microsemi Corporation |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-220-3 |
| ECAD |
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| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1410pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 225W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 Ohm @ 3A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 [K] |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
APT6M100K |
Microsemi Corporation |
MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220 |
154 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
APT6M100K D# APT6M100K-ND |
Microsemi Corporation |
MOSFET N-CH 1000V 6A TO220 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
APT6M100K |
Aptina Imaging |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
40 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
APT6M100K D# NS-APT6M100K |
Microsemi Corporation |
OEM/CM ONLY |
7772 |
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