Name: APT70GR65B2SCD30
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APT70GR65B2SCD30
Availability: InStock
Rating: 5 (185 reviews)

APT70GR65B2SCD30

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Numero di parte	APT70GR65B2SCD30
Produttore	Microsemi Corporation
Descrizione	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Scheda dati
pacchetto	TO-247-3
ECAD
A magazzino	4.864 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
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Specifiche APT70GR65B2SCD30

Produttore	Microsemi Corporation
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - IGBT - Singoli
pacchetto	TO-247-3
ECAD
Serie	*
Tipo IGBT	NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	650V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	134A
Corrente - Collector Pulsed (Icm)	260A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.4V @ 15V, 70A
Potenza - Max	595W
Cambiare energia	-
Tipo di input	-
Carica del cancello	305nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C	19ns/170ns
Condizione di test	433V, 70A, 4.3 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)	-
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore	T-MAX? [B2]

APT70GR65B2SCD30 Packaging

APT70GR65B2SCD30 FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

APT70GR65B2SCD30

D# APT70GR65B2SCD30-ND

Microsemi Corporation

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

APT70GR65B2SCD30

Microchip Technology Inc

OEM/CM ONLY

261

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

APT70GR65B2SCD30

D# 494-APT70GR65B2SCD30

Microchip Technology Inc

IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8

RoHS: Compliant

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