Name: APT8075BN
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APT8075BN
Availability: InStock
Rating: 5 (97 reviews)

APT8075BN

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Numero di parte	APT8075BN
Produttore	Microsemi Corporation
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD
Scheda dati	APT8075BN Scheda dati
pacchetto	TO-247-3
ECAD
A magazzino	94.800 piece(s)
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Specifiche APT8075BN

Produttore	Microsemi Corporation
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-247-3
ECAD
Serie	POWER MOS IV?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	13A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	130nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2950pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	310W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	750 mOhm @ 6.5A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247AD
Pacchetto / caso	TO-247-3

Scheda tecnica APT8075BN

APT8075BN Packaging

APT8075BN FAQ

1. How to order APT8075BN on Heisener?

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2. How does Heisener guarantee that APT8075BN is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the APT8075BN price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte

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APT8075BNG

D# VN5:3623_18738431

Microsemi Corporation

Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD

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D# APT8075BN-ND

Microsemi Corporation

MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD

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Advanced Power Technology

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 13A I(D), 800V, 0.75OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-247AD

338

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APT8075BNG

D# APT8075BNG

Microchip Technology Inc

POWER MOSFET TRANSISTOR

RoHS: Compliant

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APT8075BN

Advanced Power Technology

OEM/CM ONLY

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APT8075BNG

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