Name: APTGT100A170D1G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APTGT100A170D1G
Availability: InStock
Rating: 5 (142 reviews)

APTGT100A170D1G

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Numero di parte	APTGT100A170D1G
Produttore	Microsemi Corporation
Descrizione	IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1
Scheda dati	APTGT100A170D1G Scheda dati
pacchetto	D1
ECAD
A magazzino	3.680 piece(s)
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Specifiche APTGT100A170D1G

Produttore	Microsemi Corporation
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - IGBT - Moduli
pacchetto	D1
ECAD
Serie	-
Tipo IGBT	Trench Field Stop
Configurazione	Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1700V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	200A
Potenza - Max	695W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.4V @ 15V, 100A
Corrente - Limite del collettore (max)	3mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	8.5nF @ 25V
Ingresso	Standard
Termistore NTC	No
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	D1
Pacchetto dispositivo fornitore	D1

Scheda tecnica APTGT100A170D1G

APTGT100A170D1G Packaging

APTGT100A170D1G FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of APTGT100A170D1G.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Azione

APTGT100A170D1G

Microsemi Corporation

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1

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Produttore

Descrizione

Azione

APTGT100A170D1G

D# APTGT100A170D1G-ND

Microsemi Corporation

IGBT MODULE 1700V 200A 695W D1

Numero di parte

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APTGT100A170D1G

APT

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

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Azione

APTGT100A170D1G

D# NS-APTGT100A170D1G

Microsemi Corporation

OEM/CM ONLY

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