Name: APTGT100DA120D1G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APTGT100DA120D1G
Availability: InStock
Rating: 5 (140 reviews)

APTGT100DA120D1G

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Numero di parte	APTGT100DA120D1G
Produttore	Microsemi Corporation
Descrizione	IGBT 1200V 150A 520W D1
Scheda dati	APTGT100DA120D1G Scheda dati
pacchetto	D1
ECAD
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Specifiche APTGT100DA120D1G

Produttore	Microsemi Corporation
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - IGBT - Moduli
pacchetto	D1
ECAD
Serie	-
Tipo IGBT	Trench Field Stop
Configurazione	Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	150A
Potenza - Max	520W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 100A
Corrente - Limite del collettore (max)	3mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	7nF @ 25V
Ingresso	Standard
Termistore NTC	No
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	D1
Pacchetto dispositivo fornitore	D1

Scheda tecnica APTGT100DA120D1G

APTGT100DA120D1G Packaging

APTGT100DA120D1G FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of APTGT100DA120D1G.

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(1)Inform us within 90 days

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