Name: APTGT30A170D1G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APTGT30A170D1G
Availability: InStock
Rating: 5 (103 reviews)

APTGT30A170D1G

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte	APTGT30A170D1G
Produttore	Microsemi Corporation
Descrizione	IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1
Scheda dati
pacchetto	D1
ECAD
A magazzino	4.384 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
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Specifiche APTGT30A170D1G

Produttore	Microsemi Corporation
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - IGBT - Moduli
pacchetto	D1
ECAD
Serie	-
Tipo IGBT	Trench Field Stop
Configurazione	Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1700V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	45A
Potenza - Max	210W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.4V @ 15V, 30A
Corrente - Limite del collettore (max)	3mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	2.5nF @ 25V
Ingresso	Standard
Termistore NTC	No
temperatura di esercizio	-
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	D1
Pacchetto dispositivo fornitore	D1

APTGT30A170D1G Packaging

APTGT30A170D1G FAQ

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(1)Inform us within 90 days

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APTGT30A170D1G

Microsemi Corporation

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APTGT30A170D1G

D# APTGT30A170D1G-ND

Microsemi Corporation

IGBT MODULE 1700V 45A 210W D1

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APTGT30A170D1G

APT

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

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D# NS-APTGT30A170D1G

Microsemi Corporation

OEM/CM ONLY

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