Name: APTGT35A120D1G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APTGT35A120D1G
Availability: InStock
Rating: 5 (96 reviews)

APTGT35A120D1G

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte	APTGT35A120D1G
Produttore	Microsemi Corporation
Descrizione	IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1
Scheda dati
pacchetto	D1
ECAD
A magazzino	3.504 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
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Specifiche APTGT35A120D1G

Produttore	Microsemi Corporation
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - IGBT - Moduli
pacchetto	D1
ECAD
Serie	-
Tipo IGBT	Trench Field Stop
Configurazione	Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	55A
Potenza - Max	205W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 35A
Corrente - Limite del collettore (max)	5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	2.5nF @ 25V
Ingresso	Standard
Termistore NTC	No
temperatura di esercizio	-
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	D1
Pacchetto dispositivo fornitore	D1

APTGT35A120D1G Packaging

APTGT35A120D1G FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# APTGT35A120D1G-ND

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IGBT MODULE 1200V 55A 205W D1

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