Name: APTGV25H120T3G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APTGV25H120T3G
Availability: InStock
Rating: 5 (191 reviews)

APTGV25H120T3G

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte	APTGV25H120T3G
Produttore	Microsemi Corporation
Descrizione	IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3
Scheda dati
pacchetto	SP3
ECAD
A magazzino	2.016 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
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Specifiche APTGV25H120T3G

Produttore	Microsemi Corporation
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - IGBT - Moduli
pacchetto	SP3
ECAD
Serie	-
Tipo IGBT	NPT, Trench Field Stop
Configurazione	Full Bridge Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	40A
Potenza - Max	156W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 25A
Corrente - Limite del collettore (max)	250µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	1.8nF @ 25V
Ingresso	Standard
Termistore NTC	Yes
temperatura di esercizio	-
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	SP3
Pacchetto dispositivo fornitore	SP3

APTGV25H120T3G Packaging

APTGV25H120T3G FAQ

1. How to order APTGV25H120T3G on Heisener?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the APTGV25H120T3G we delivered, we will accept the replacement or return of the APTGV25H120T3G only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of APTGV25H120T3G.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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APTGV25H120T3G

Microsemi Corporation

POWER MODULE - IGBT - Bulk

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APTGV25H120T3G

D# APTGV25H120T3G-ND

Microsemi Corporation

IGBT MODULE 1200V 40A 156W SP3

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APTGV25H120T3G

D# NS-APTGV25H120T3G

Microsemi Corporation

OEM/CM ONLY

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