Name: APTM120DA29TG
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APTM120DA29TG
Availability: InStock
Rating: 5 (162 reviews)

APTM120DA29TG

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Numero di parte	APTM120DA29TG
Produttore	Microsemi Corporation
Descrizione	MOSFET N-CH 1200V 34A SP4
Scheda dati	APTM120DA29TG Scheda dati
pacchetto	SP4
ECAD
A magazzino	2.176 piece(s)
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Specifiche APTM120DA29TG

Produttore	Microsemi Corporation
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	SP4
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	34A
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	374nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	10300pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	780W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	348 mOhm @ 17A, 10V
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SP4
Pacchetto / caso	SP4

Scheda tecnica APTM120DA29TG

APTM120DA29TG Packaging

APTM120DA29TG FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of APTM120DA29TG.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# APTM120DA29TG-ND

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