Name: APTM120DSK57T3G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APTM120DSK57T3G
Availability: InStock
Rating: 5 (71 reviews)

APTM120DSK57T3G

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Numero di parte	APTM120DSK57T3G
Produttore	Microsemi Corporation
Descrizione	MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3
Scheda dati	APTM120DSK57T3G Scheda dati
pacchetto	SP3
ECAD
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Specifiche APTM120DSK57T3G

Produttore	Microsemi Corporation
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	SP3
ECAD
Serie	-
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200V (1.2kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	17A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	684 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	187nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5155pF @ 25V
Potenza - Max	390W
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	SP3
Pacchetto dispositivo fornitore	SP3

Scheda tecnica APTM120DSK57T3G

APTM120DSK57T3G Packaging

APTM120DSK57T3G FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the APTM120DSK57T3G we delivered, we will accept the replacement or return of the APTM120DSK57T3G only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of APTM120DSK57T3G.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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D# APTM120DSK57T3G-ND

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