Name: APTM120H57FT3G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APTM120H57FT3G
Availability: InStock
Rating: 5 (69 reviews)

APTM120H57FT3G

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Numero di parte	APTM120H57FT3G
Produttore	Microsemi Corporation
Descrizione	MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3
Scheda dati	APTM120H57FT3G Scheda dati
pacchetto	SP3
ECAD
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Specifiche APTM120H57FT3G

Produttore	Microsemi Corporation
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	SP3
ECAD
Serie	-
Tipo FET	4 N-Channel (H-Bridge)
Caratteristica FET	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200V (1.2kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	17A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	684 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	187nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5155pF @ 25V
Potenza - Max	390W
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	SP3
Pacchetto dispositivo fornitore	SP3

Scheda tecnica APTM120H57FT3G

APTM120H57FT3G Packaging

APTM120H57FT3G FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of APTM120H57FT3G.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# APTM120H57FT3G-ND

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