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BCR135E6433HTMA1

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BCR135E6433HTMA1

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Numero di parte BCR135E6433HTMA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Scheda dati

BCR135E6433HTMA1 Scheda dati

pacchetto TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
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Specifiche BCR135E6433HTMA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati
pacchettoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
SerieAutomotive, AEC-Q101
Transistor TypeNPN - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)10k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)47k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce70 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Limite del collettore (max)100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione150MHz
Potenza - Max200mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitorePG-SOT23-3

Scheda tecnica BCR135E6433HTMA1

BCR135E6433HTMA1 Packaging

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Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that BCR135E6433HTMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BCR135E6433HTMA1

D# V36:1790_06391406

Infineon Technologies AG

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BCR135E6433HTMA1

D# BCR135E6433HTMA1

Infineon Technologies AG

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R - Tape and Reel (Alt: BCR135E6433HTMA1)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BCR135E6433HTMA1

D# BCR135E6433HTMA1TR-ND

Infineon Technologies AG

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BCR135E6433HTMA1

Infineon Technologies AG

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BCR 135 E6433

D# 726-BCR135E6433

Infineon Technologies AG

Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR

RoHS: Compliant
63752

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