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BCR198B6327HTLA1

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Numero di parte BCR198B6327HTLA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
Scheda dati

BCR198B6327HTLA1 Scheda dati

pacchetto TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
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Specifiche BCR198B6327HTLA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati
pacchettoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
Serie-
Transistor TypePNP - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)47k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)47k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce70 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Limite del collettore (max)100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione190MHz
Potenza - Max200mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitorePG-SOT23-3

Scheda tecnica BCR198B6327HTLA1

BCR198B6327HTLA1 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

BCR198B6327HTLA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BCR198B6327HTLA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Infineon Technologies AG

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

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