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BDV65B-S

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Numero di parte BDV65B-S
Produttore Bourns Inc.
Descrizione TRANS NPN DARL 100V 12A
Scheda dati

BDV65B-S Scheda dati

pacchetto TO-218-3
ECAD
A magazzino 5.040 piece(s)
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Specifiche BDV65B-S

ProduttoreBourns Inc.
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
pacchettoTO-218-3
ECAD
Serie-
Transistor TypeNPN - Darlington
Corrente - Collector (Ic) (Max)12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic2V @ 20mA, 5A
Corrente - Limite del collettore (max)2mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce1000 @ 5A, 4V
Potenza - Max3.5W
Frequenza - Transizione-
temperatura di esercizio-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / casoTO-218-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-93

Scheda tecnica BDV65B-S

BDV65B-S Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

BDV65B-S FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BDV65B-S is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the BDV65B-S. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including BDV65B-S on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of BDV65B-S products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the BDV65B-S price and inventory displayed accurate?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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TRANS NPN DARL 100V 12A

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D# BDV65B-S-ND

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TRANS NPN DARL 100V 12A

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D# NS-BDV65B-S

Bourns Inc

OEM/CM ONLY

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