Name: BSB012N03LX3 G
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSB012N03LX3-G
Availability: InStock
Rating: 5 (71 reviews)

BSB012N03LX3 G

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Numero di parte	BSB012N03LX3 G
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON
Scheda dati	BSB012N03LX3 G Scheda dati
pacchetto	3-WDSON
ECAD
A magazzino	3.520 piece(s)
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Specifiche BSB012N03LX3 G

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	3-WDSON
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	39A (Ta), 180A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	169nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	16900pF @ 15V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 mOhm @ 30A, 10V
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	MG-WDSON-2, CanPAK M?
Pacchetto / caso	3-WDSON

Scheda tecnica BSB012N03LX3 G

BSB012N03LX3 G Packaging

BSB012N03LX3 G FAQ

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2. How does Heisener guarantee that BSB012N03LX3 G is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the BSB012N03LX3 G price and inventory displayed accurate?

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4. What forms of payment are accepted?

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5. How is the shipping arranged?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the BSB012N03LX3 G we delivered, we will accept the replacement or return of the BSB012N03LX3 G only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of BSB012N03LX3 G.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSB012N03LX3GXUMA1

D# BSB012N03LX3GXUMA1

Infineon Technologies AG

- Bulk (Alt: BSB012N03LX3GXUMA1)

RoHS: Compliant

BSB012N03LX3G

D# BSB012N03LX3G

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 30V 39A 7-Pin WDSON - Bulk (Alt: BSB012N03LX3G)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSB012N03LX3GXUMA1

D# SP000597846

Infineon Technologies AG

(Alt: SP000597846)

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSB012N03LX3 G

Infineon Technologies AG

N-CH 30V 180A 1.2mOhm CanPAK RoHSconf

Numero di parte	Produttore	Descrizione	Azione
BSB012N03LX3 G D# BSB012N03LX3GTR-ND	Infineon Technologies AG	MOSFET N-CH 30V 39A/180A 2WDSON	0
BSB012N03LX3GXUMA1 D# 2156-BSB012N03LX3GXUMA1-ND	Rochester Electronics LLC	N-CHANNEL POWER MOSFET	5000
BSB012N03LX3G D# 2156-BSB012N03LX3G-ND	Rochester Electronics LLC	N-CHANNEL POWER MOSFET	6282

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSB012N03LX3G

Intersil Corporation

In stock shipping within 2days

400

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSB012N03LX3GXUMA1

Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

5750

BSB012N03LX3G

Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

7751

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSB012N03LX3G

Intersil Corporation

OEM/CM Immediate delivery

400

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSB012N03LX3 G

D# NS-BSB012N03LX3 G

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

10041

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSB012N03LX3GXUMA1

Infineon Technologies AG

Power Field-Effect Transistor, 39A, 30V, 0.0012ohm, N-Channel, MOSFET

RoHS: Compliant

5000

BSB012N03LX3G

Infineon Technologies AG

Power Field-Effect Transistor, 39A, 30V, 0.0012ohm, N-Channel, MOSFET

RoHS: Compliant

6282

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSB012N03LX3G

Intersil Corporation

IN stock Immediate delivery

395

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BSB012N03LX3 G

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