Name: BSB017N03LX3 G
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSB017N03LX3-G
Availability: InStock
Rating: 5 (69 reviews)

BSB017N03LX3 G

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Numero di parte	BSB017N03LX3 G
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 147A 2WDSON
Scheda dati	BSB017N03LX3 G Scheda dati
pacchetto	3-WDSON
ECAD
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Specifiche BSB017N03LX3 G

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	3-WDSON
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	32A (Ta), 147A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	102nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	7800pF @ 15V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.8W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.7 mOhm @ 30A, 10V
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	MG-WDSON-2, CanPAK M?
Pacchetto / caso	3-WDSON

Scheda tecnica BSB017N03LX3 G

BSB017N03LX3 G Packaging

BSB017N03LX3 G FAQ

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2. How does Heisener guarantee that BSB017N03LX3 G is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the BSB017N03LX3 G price and inventory displayed accurate?

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of BSB017N03LX3 G.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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