Name: BSB024N03LX G
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSB024N03LX-G
Availability: InStock
Rating: 5 (85 reviews)

BSB024N03LX G

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Numero di parte	BSB024N03LX G
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 145A 2WDSON
Scheda dati	BSB024N03LX G Scheda dati
pacchetto	3-WDSON
ECAD
A magazzino	4.544 piece(s)
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Specifiche BSB024N03LX G

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	3-WDSON
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	27A (Ta), 145A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	72nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4900pF @ 15V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.8W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4 mOhm @ 30A, 10V
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	MG-WDSON-2, CanPAK M?
Pacchetto / caso	3-WDSON

Scheda tecnica BSB024N03LX G

BSB024N03LX G Packaging

BSB024N03LX G FAQ

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2. How does Heisener guarantee that BSB024N03LX G is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the BSB024N03LX G price and inventory displayed accurate?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the BSB024N03LX G we delivered, we will accept the replacement or return of the BSB024N03LX G only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of BSB024N03LX G.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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