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BSC020N03LSGATMA1

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Numero di parte BSC020N03LSGATMA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
Scheda dati

BSC020N03LSGATMA1 Scheda dati

pacchetto 8-PowerTDFN
ECAD
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Specifiche BSC020N03LSGATMA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-PowerTDFN
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C28A (Ta), 100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs93nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds7200pF @ 15V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2.5W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2 mOhm @ 30A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TDSON-8
Pacchetto / caso8-PowerTDFN

Scheda tecnica BSC020N03LSGATMA1

BSC020N03LSGATMA1 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
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BSC020N03LSGATMA1 FAQ

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    Currently, Heisener only provide peer-to-peer order processing. While you submit the RFQ, our professional agent will contact you with the competitive prices in the global market, and our agent will prompt you to finish the order if you accept our offers.
  • 2. How does Heisener guarantee that BSC020N03LSGATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the BSC020N03LSGATMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including BSC020N03LSGATMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of BSC020N03LSGATMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the BSC020N03LSGATMA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of BSC020N03LSGATMA1?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R

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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON T/R - Tape and Reel (Alt: BSC020N03LSGATMA1)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# SP000237662

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON T/R (Alt: SP000237662)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# C1S322000304686

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Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
8120
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# BSC020N03LSGATMA1CT-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON

54292
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC020N03LSGATMA1

D# 1775429

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 100A, 30V, PG-TDSON-8

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
2422
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BSC020N03LSGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

57500
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BSC020N03LS G

D# 726-BSC020N03LSG

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

RoHS: Compliant
1310

BSC020N03LSGATMA1

D# 726-BSC020N03LSGATM

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

RoHS: Compliant
8206
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC020N03LSGATMA1

D# 60R2479

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 30V, 100A, 150DEG C, 96W, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:100A, On Resistance Rds(on):0.0017ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk
96
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BSC020N03LSGATMA1

D# 1336578

Infineon Technologies AG

N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC020N03LSGATMA1, RL

Min Qty: 5000
Container: Reel
9740
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1078
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