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BSC020N03LSGATMA2

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Numero di parte BSC020N03LSGATMA2
Produttore Infineon Technologies
Descrizione LV POWER MOS
Scheda dati
pacchetto -
ECAD
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Specifiche BSC020N03LSGATMA2

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto-
ECAD
Serie*
Tipo FET-
Tecnologia-
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (massimo)-
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto dispositivo fornitore-
Pacchetto / caso-

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BSC020N03LSGATMA2 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BSC020N03LSGATMA2 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the BSC020N03LSGATMA2. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including BSC020N03LSGATMA2 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of BSC020N03LSGATMA2 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the BSC020N03LSGATMA2 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of BSC020N03LSGATMA2?
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    (1)Inform us within 90 days
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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON T/R - Tape and Reel (Alt: BSC020N03LSGATMA2)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Infineon Technologies AG

LV POWER MOS

0

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