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BSC028N06LS3GATMA1

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BSC028N06LS3GATMA1

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Numero di parte BSC028N06LS3GATMA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
Scheda dati

BSC028N06LS3GATMA1 Scheda dati

pacchetto 8-PowerTDFN
ECAD
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Specifiche BSC028N06LS3GATMA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-PowerTDFN
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C23A (Ta), 100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 93µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs175nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds13000pF @ 30V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2.5W (Ta), 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.8 mOhm @ 50A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TDSON-8
Pacchetto / caso8-PowerTDFN

Scheda tecnica BSC028N06LS3GATMA1

BSC028N06LS3GATMA1 Packaging

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Sealing
Packing
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BSC028N06LS3GATMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BSC028N06LS3GATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the BSC028N06LS3GATMA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of BSC028N06LS3GATMA1?
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC028N06LS3GATMA1

D# V72:2272_06383281

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC028N06LS3GATMA1

D# 79X1328

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON T/R - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 79X1328)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC028N06LS3GATMA1

D# SP000453652

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON T/R (Alt: SP000453652)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC028N06LS3GATMA1

D# C1S322000192258

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
11906
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC028N06LS3GATMA1

Infineon Technologies AG

N-Channel 60V 23A 2.2V @ 93uA 2.8mohms @ 50A,10V 2.5W PG-TDSON-8 MOSFET RoHS

5798
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC028N06LS3 G

Infineon Technologies AG

RoHS (ship within 1day) - D/C 2012+

8392
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC028N06LS3GATMA1

D# BSC028N06LS3GATMA1CT-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON

2163
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC028N06LS3GATMA1

D# 2432703RL

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 60V, 100A, TDSON-8

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC028N06LS3GATMA1

Infineon Technologies AG

Single N-Channel 60 V 2.8 mOhm 132 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TDSON-8

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC028N06LS3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

40250
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC028N06LS3GATMA1

D# 726-BSC028N06LS3GATM

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

RoHS: Compliant
4841

BSC028N06LS3 G

D# 726-BSC028N06LS3G

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

RoHS: Compliant
14563
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC028N06LS3GATMA1

D# XSKDRABV0053317

Infineon Technologies AG

45000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC028N06LS3GATMA1

D# 79X1328

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 60V, 100A, PG-TDSON- 8, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:60V, Continuous Drain Current Id:100A, On Resistance Rds(on):0.0023ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
2816

BSC028N06LS3GATMA1.

D# 27AC1072

Infineon Technologies AG

Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:60V, Continuous Drain Current Id:100A, On Resistance Rds(on):0.0023ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1.7V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 5000
Container: TAPE & REEL - FULL
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC028N06LS3GATMA1

D# 7545241

Infineon Technologies AG

N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC028N06LS3GATMA1, PK

Min Qty: 2
Container: Package
318
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC028N06LS3 G

D# TMOSP9581

Infineon Technologies AG

N-CH 60V 100A 2.8mOhm TDSON-8

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC028N06LS3GATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

92
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC028N06LS3GATMA1

D# 43707736

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC028N06LS3GATMA1

D# 2432703RL

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 60V, 100A, TDSON-8

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
0

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