| Numero di parte | BSC042N03ST |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | 8-PowerTDFN |
| ECAD |
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| A magazzino | 6.800 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
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| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | 8-PowerTDFN |
| ECAD |
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| Serie | OptiMOS? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Ta), 50A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 50µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3660pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 50A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 |
| Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC042N03ST |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC042N03ST D# BSC042N03ST-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 30V 20A/50A TDSON |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC042N03ST D# NS-BSC042N03ST |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
1613 |
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