* Please refer to the English Version as our Official Version.
| Numero di parte | BSC046N10NS3GATMA1 |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | 8-PowerTDFN |
| ECAD |
|
| A magazzino | 262.650 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
| Tempo di consegna stimato | dic 20 - dic 25 (Scegli una spedizione rapida) |
| Richiedi Preventivo |
|
| Modalità di pagamento | |
| Servizi di consegna |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | 8-PowerTDFN |
| ECAD |
|
| Serie | OptiMOS? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 17A (Ta), 100A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 120µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4500pF @ 50V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6 mOhm @ 50A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 |
| Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
|
SIT1602BI-21-33S-74.250000E | SiTime, -40 TO 85C, 3225, 20PPM, 3.3V, 7, -, OptiMOS? | Visualizza |
|
0201ZD682KAT2A | AVX Corporation, CAP CER 6800PF 10V X5R 0201, 0201 (0603 Metric), OptiMOS? | Visualizza |
|
MX6AWT-H1-R250-0008B6 | Cree Inc., LED XLAMP WHITE 2SMD, 2-SMD, Gull Wing, Exposed Pad, OptiMOS? | Visualizza |
|
|
MSF4800S-30-1840-10X-10R | Omron Automation and Safety, SAFETY LIGHT CURTAIN, -, OptiMOS? | Visualizza |
|
1130-222K | Bourns Inc., FIXED IND 2.2MH 1.3A 1.02 OHM TH, Radial, OptiMOS? | Visualizza |
|
|
OQ1955500000G | Amphenol Anytek, TERM BLOCK HDR 19POS VERT 5.08MM, -, OptiMOS? | Visualizza |
|
|
FTS-111-01-F-DV-P | Samtec Inc., .050 X .050 C.L. LOW PROFILE TER, -, OptiMOS? | Visualizza |
|
|
97-3101A28-2SX | Amphenol Industrial Operations, AB 14C 12#16, 2#12 SKT RECP, -, OptiMOS? | Visualizza |
|
|
VE-J4Z-MW-B1 | Vicor Corporation, CONVERTER MOD DC/DC 2V 40W, Half Brick, OptiMOS? | Visualizza |
|
VI-J4V-CZ-B1 | Vicor Corporation, CONVERTER MOD DC/DC 5.8V 25W, Half Brick, OptiMOS? | Visualizza |
|
R09P12S/P/R6.4 | Recom Power, CONV DC/DC 1W 09VIN 12VOUT, 7-SIP Module, 4 Leads, OptiMOS? | Visualizza |
|
ISL9021IRUBZ-T | Renesas Electronics America, IC REG LINEAR 1.5V 250MA 6UTDFN, 6-UFDFN, OptiMOS? | Visualizza |
Garantiamo la soddisfazione del cliente al 100%.
Il nostro team di vendita esperto e il team di supporto tecnico supportano i nostri servizi per soddisfare tutti i nostri clienti.
Forniamo una garanzia di 90 giorni.
Se gli articoli che hai ricevuto non fossero di qualità perfetta, saremmo responsabili per il rimborso o la sostituzione, ma gli articoli devono essere restituiti nelle loro condizioni originali.
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC046N10NS3GATMA1 D# 50Y1804 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 8-Pin TDSON EP - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 50Y1804) RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC046N10NS3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8 |
15000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC046N10NS3GATMA1 D# BSC046N10NS3GATMA1TR-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 100V 17A/100A TDSON |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC046N10NS3GATMA1 D# 2480739 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 100V, 100A, TDSON-8 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC046N10NS3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
1027 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC046N10NS3GATMA1 D# 50Y1804 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 100V, 100A, 150DEG C, 156W, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:100V, Continuous Drain Current Id:100A, On Resistance Rds(on):0.004ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10VRoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC046N10NS3GATMA1 D# NS-BSC046N10NS3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
3526 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC046N10NS3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 17A I(D), 100V, 0.0046OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET |
93 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC046N10NS3GATMA1 D# 9064321 |
Infineon Technologies AG |
N-Channel MOSFET, 100 A, 100 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC046N10NS3GATMA1, PK Min Qty: 4
Container: Package
|
2 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC046N10NS3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
9976 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC046N10NS3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
shipping today |
124 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC046N10NS3GATMA1 D# 2480739 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 100V, 100A, TDSON-8 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
0 |
L'impegno di Heisener per la qualità ha plasmato i nostri processi di approvvigionamento, test, spedizione e ogni passo intermedio. Questa base è alla base di ogni componente che vendiamo.
Avete qualche domanda circa BSC046N10NS3GATMA1?
+86-755-83210559 ext. 816
Scansiona per visualizzare questa pagina
