Name: BSC072N03LD G
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC072N03LD-G
Availability: InStock
Rating: 5 (132 reviews)

BSC072N03LD G

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Numero di parte	BSC072N03LD G
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
Scheda dati	BSC072N03LD G Scheda dati
pacchetto	8-PowerVDFN
ECAD
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Specifiche BSC072N03LD G

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	8-PowerVDFN
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	11.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	41nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3500pF @ 15V
Potenza - Max	57W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TDSON-8

Scheda tecnica BSC072N03LD G

BSC072N03LD G Packaging

BSC072N03LD G FAQ

1. How to order BSC072N03LD G on Heisener?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# 31AC8218

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Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:20A, On Resistance Rds(on):0.006ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:-, No. of Pins:8PinsRoHS Compliant: Yes

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