| Numero di parte | BSC130P03LS G |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET P-CH 30V 22.5A TDSON-8 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | 8-PowerTDFN |
| ECAD |
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| A magazzino | 12.312 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Spedizione immediata |
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| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | 8-PowerTDFN |
| ECAD |
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| Serie | OptiMOS? |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta), 22.5A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 150µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 73.1nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3670pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 22.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 |
| Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC130P03LSGAUMA1 D# 2156-BSC130P03LSGAUMA1-ND |
Rochester Electronics LLC |
PFET, 12A I(D), 30V, 0.013OHM, 1 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC130P03LSGAUMA1 D# 2443467RL |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, P CH, -30V, -22.5A, TDSON-8 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC130P03LSGAUMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
115 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC130P03LSGAUMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
116 |
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