Name: BSC16DN25NS3 G
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC16DN25NS3-G
Availability: InStock
Rating: 5 (75 reviews)

BSC16DN25NS3 G

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Numero di parte	BSC16DN25NS3 G
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TDSON
Scheda dati	BSC16DN25NS3 G Scheda dati
pacchetto	8-PowerTDFN
ECAD
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Specifiche BSC16DN25NS3 G

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-PowerTDFN
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	250V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	10.9A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 32µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11.4nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	920pF @ 100V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	165 mOhm @ 5.5A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TDSON-8
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN

Scheda tecnica BSC16DN25NS3 G

BSC16DN25NS3 G Packaging

BSC16DN25NS3 G FAQ

1. How to order BSC16DN25NS3 G on Heisener?

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2. How does Heisener guarantee that BSC16DN25NS3 G is from the original manufacturer or authorized agents?

We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the BSC16DN25NS3 G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including BSC16DN25NS3 G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of BSC16DN25NS3 G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
3. Are the BSC16DN25NS3 G price and inventory displayed accurate?

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5. How is the shipping arranged?

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6. What is the process for return or replacement of BSC16DN25NS3 G?

All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the BSC16DN25NS3 G we delivered, we will accept the replacement or return of the BSC16DN25NS3 G only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of BSC16DN25NS3 G.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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BSC16DN25NS3GATMA1

D# V72:2272_06383949

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TDSON EP T/R

Numero di parte

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BSC16DN25NS3GATMA1

D# BSC16DN25NS3GATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TDSON T/R - Tape and Reel (Alt: BSC16DN25NS3GATMA1)

RoHS: Compliant

Numero di parte

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BSC16DN25NS3GATMA1

D# SP000781782

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TDSON T/R (Alt: SP000781782)

RoHS: Compliant

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BSC16DN25NS3 G

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TDSON

10000

BSC16DN25NS3G

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TDSON

10000

Numero di parte

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BSC16DN25NS3 G

Infineon Technologies AG

N-Channel 250V 10.9A(Tc) 4V @ 32uA 165mohms @ 5.5A,10V 62.5W(Tc) PG-TDSON-8 MOSFET RoHS

10737

Numero di parte

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BSC16DN25NS3GATMA1

D# BSC16DN25NS3GATMA1TR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 250V 10.9A TDSON-8-5

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BSC16DN25NS3G

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378

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BSC16DN25NS3GATMA1

D# 2480748

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 250V, 10.9A, TDSON-8

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Cut Tape

3697

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BSC16DN25NS3G

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

11500

BSC16DN25NS3GATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

6530

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BSC16DN25NS3G

Infineon Technologies AG

OEM/CM Immediate delivery

278

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BSC16DN25NS3GATMA1

D# XSKDRABS0108816

Infineon Technologies AG

DIFFERENTIATED MOSFETS

5000

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BSC16DN25NS3GATMA1

D# 50Y1814

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 250V, 10.9A/150DEG C/62.5W, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:250V, Continuous Drain Current Id:10.9A, On Resistance Rds(on):0.146ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Threshold Voltage Vgs:3V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Cut Tape

1910

Numero di parte

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BSC16DN25NS3 G

D# NS-BSC16DN25NS3 G

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

3739

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BSC16DN25NS3GATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

2275

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273

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BSC16DN25NS3GATMA1

D# 2480748RL

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 250V, 10.9A, TDSON-8

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

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