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BSC190N12NS3GATMA1

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BSC190N12NS3GATMA1

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Numero di parte BSC190N12NS3GATMA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 120V 44A TDSON-8
Scheda dati

BSC190N12NS3GATMA1 Scheda dati

pacchetto 8-PowerTDFN
ECAD
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Specifiche BSC190N12NS3GATMA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-PowerTDFN
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)120V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C8.6A (Ta), 44A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 42µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2300pF @ 60V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs19 mOhm @ 39A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TDSON-8
Pacchetto / caso8-PowerTDFN

Scheda tecnica BSC190N12NS3GATMA1

BSC190N12NS3GATMA1 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
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BSC190N12NS3GATMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BSC190N12NS3GATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the BSC190N12NS3GATMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including BSC190N12NS3GATMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of BSC190N12NS3GATMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the BSC190N12NS3GATMA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of BSC190N12NS3GATMA1?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
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D# V72:2272_06384232

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 120V 8.6A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC190N12NS3GATMA1

D# 13AC8341

Infineon Technologies AG

- Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 13AC8341)

RoHS: Compliant
0

BSC190N12NS3GXT

D# BSC190N12NS3GATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 120V 8.6A 8-Pin TDSON EP - Tape and Reel (Alt: BSC190N12NS3GATMA1)

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC190N12NS3GATMA1

D# C1S322000268241

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 120V 8.6A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
3520
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC190N12NS3GATMA1

D# BSC190N12NS3GATMA1CT-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 120V 8.6A/44A TDSON

20336
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC190N12NS3GATMA1

D# 2725816RL

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 120V, 44A, TDSON

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC190N12NS3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

17250
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC190N12NS3 G

D# 726-BSC190N12NS3GXT

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 120V 44A TDSON-8 OptiMOS 3

RoHS: Compliant
7824
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC190N12NS3GATMA1

D# 13AC8341

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 120V, 44A, 150DEG C, 69W, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:120V, Continuous Drain Current Id:44A, On Resistance Rds(on):0.0166ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
1076
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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10044
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Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 120V, 44A, TDSON

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