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| Numero di parte | BSC350N20NSFDATMA1 |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 8TDSON |
| Scheda dati | |
| pacchetto | 8-PowerTDFN |
| ECAD |
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| A magazzino | 48.984 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
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| Servizi di consegna |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | 8-PowerTDFN |
| ECAD |
|
| Serie | OptiMOS? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 90µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2410pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 35A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 |
| Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
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1808J0100221KCT | Knowles Syfer, CAP CER 220PF 10V C0G/NP0 1808, 1808 (4520 Metric), OptiMOS? | Visualizza |
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CL21F475ZOFNNNG | Samsung, CAP CER 4.7UF 16V Y5V 0805, 0805 (2012 Metric), OptiMOS? | Visualizza |
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MAX98357BEWL+T | Maxim Integrated, IC AUDIO AMP PCM D WLP, 9-WFBGA, WLBGA, OptiMOS? | Visualizza |
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TM4C1230E6PMT7R | Texas Instruments, IC MCU 32BIT 128KB FLASH 64LQFP, 64-LQFP, OptiMOS? | Visualizza |
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170M5447 | Eaton, FUSE SQUARE 700A 1.3KVAC, Rectangular, Blade, OptiMOS? | Visualizza |
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08C1019-3 | Grayhill Inc., NUT 1/4-32 BR SNZN 312 062, -, OptiMOS? | Visualizza |
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PTF65122K60BXBF | Vishay Dale, RES 122.6K OHM 1/4W 0.1% AXIAL, Axial, OptiMOS? | Visualizza |
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CRCW120632K4FKEA | Vishay Dale, RES SMD 32.4K OHM 1% 1/4W 1206, 1206 (3216 Metric), OptiMOS? | Visualizza |
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0395205212 | Molex, LLC, TERM BLOCK PLUG 12POS STR 5MM, -, OptiMOS? | Visualizza |
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CLM-106-02-LM-D | Samtec Inc., 1MM MICRO STRIPS, -, OptiMOS? | Visualizza |
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FGSD12SR6006NA | FDK America, Inc., a member of Fujitsu Group, DC/DC CONVERT 0.45-5.5V 6A 33W, Module, OptiMOS? | Visualizza |
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XC9236B27DMR-G | Torex Semiconductor Ltd, 600MA SYNCHRONOUS STEP-DOWN DCDC, -, OptiMOS? | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC350N20NSFDATMA1 D# V36:1790_17072477 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 200V 35A 8-Pin TDSON EP T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC350N20NSFDATMA1 D# BSC350N20NSFDATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Transistor MOSFET N-CH 200V 35A 8-Pin TDSON T/R - Bulk (Alt: BSC350N20NSFDATMA1) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC350N20NSFDATMA1 D# SP001108124 |
Infineon Technologies AG |
Transistor MOSFET N-CH 200V 35A 8-Pin TDSON T/R (Alt: SP001108124) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC350N20NSFDATMA1 D# C1S322000657083 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET RoHS: Compliant
pbFree: Yes
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
2478 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC350N20NSFDATMA1 D# BSC350N20NSFDATMA1CT-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 200V 35A TDSON-8-1 |
6363 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC350N20NSFDATMA1 D# 2770033RL |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 200V, 35A, TDSON RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC350N20NSFDATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
13731 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC350N20NSFDATMA1 D# 726-BSC350N20NSFDATM |
Infineon Technologies AG |
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS RoHS: Compliant
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8433 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC350N20NSFDATMA1 D# 24AC4562 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 200V, 35A, TDSON, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:35A, Drain Source Voltage Vds:200V, On Resistance Rds(on):0.031ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V, Power Dissipation RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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30 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC350N20NSFDATMA1 |
Infineon Technologies AG |
BSC350N20NSFD - N-Channel Power MOSFET 12V - 300V RoHS: Compliant
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5000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC350N20NSFDATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
2552 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC350N20NSFDATMA1 D# 43704259 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 200V 35A 8-Pin TDSON EP T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC350N20NSFDATMA1 D# 2770033 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 200V, 35A, TDSON RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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2327 |
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