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Numero di parte | BSM150GB170DN2HOSA1 |
---|---|
Produttore | Infineon Technologies |
Descrizione | MODULE IGBT 1700V |
Scheda dati | |
pacchetto | Module |
ECAD | |
A magazzino | 3.408 piece(s) |
Prezzo unitario | Request a Quote |
Tempi di Consegna | Essere confermato |
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Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSM150GB170DN2HOSA1 D# BSM150GB170DN2HOSA1 |
Infineon Technologies AG |
Transistor IGBT Power Module N-Channel 1700V 220A ±20V - Bulk (Alt: BSM150GB170DN2HOSA1) |
0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSM150GB170DN2HOSA1 D# 2156-BSM150GB170DN2HOSA1-ND |
Rochester Electronics LLC |
IGBT MODULE |
30 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSM150GB170DN2HOSA1 |
Rochester Electronics LLC |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
35 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSM150GB170DN2HOSA1 |
Infineon Technologies AG |
Insulated Gate Bipolar Transistor Module RoHS: Compliant
|
30 |
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